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STFI13N65M2

功能描述：MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? M2

包装：管件

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：430 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：590pF @ 100V

功率 - 最大值：25W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3 整包，I2Pak

供应商器件封装：I2PAKFP（TO-281）

标准包装：50

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